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IXFN82N60Q3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 275nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 41A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IXFN82N60Q3 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXFN82N60Q3 Referenzpreis. IXFN82N60Q3 Parameter, IXFN82N60Q3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFN82N60Q3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFN82N60Q3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFN82N60Q3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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