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IXFX27N80Q Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
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IXFX27N80Q Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXFX27N80Q Referenzpreis. IXFX27N80Q Parameter, IXFX27N80Q Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXFX27N80Q Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXFX27N80Q Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXFX27N80Q Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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