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IXTH16N10D2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 16A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 5V
FET Feature Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 8A, 0V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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IXTH16N10D2 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXTH16N10D2 Referenzpreis. IXTH16N10D2 Parameter, IXTH16N10D2 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXTH16N10D2 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXTH16N10D2 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXTH16N10D2 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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