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IXTP05N100M Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 Ohm @ 375mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTP01N100D IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 862
IXTP02N120P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3432
IXTP02N50D IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5005
IXTP05N100 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2711
IXTP05N100P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4222
IXTP06N120P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3432
IXTP08N100D2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3789
IXTP08N100P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4543
IXTP08N120P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2772
IXTP08N50D2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10259

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