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IXTP08N120P Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 333pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
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