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IXTX200N10L2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXTX200N10L2 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXTX20N150 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2752
IXTX210P10T IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2513
IXTX22N100L IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4222
IXTX240N075L2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4322
IXTX24N100 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3799
IXTX24N100 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren

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