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IXTX20N150 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
Power Dissipation (Max) | 1250W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V (1.5kV) |
IXTX20N150 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Andere schließen ein "IXTX2" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IXTX2'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IXTX200N10L2 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3789 |
IXTX200N10L2 | IXYS | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IXTX210P10T | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2513 |
IXTX22N100L | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 4222 |
IXTX240N075L2 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 4322 |
IXTX24N100 | IXYS Corporation | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3799 |
IXTX24N100 | IXYS | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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IXTX20N150 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXTX20N150 Referenzpreis. IXTX20N150 Parameter, IXTX20N150 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXTX20N150 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXTX20N150 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXTX20N150 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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