BSC117N08NS5ATMA1 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 22μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 19A
Max Dual Supply Voltage 80V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 506.605978mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 50W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7m Ω @ 25A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A Tc
Rise Time 4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Height 1.1mm
Lead Free Contains Lead
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BSC110N06NS INENOI Spezialisierte heiße ICs 7584
BSC110N06NS3 G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 5010
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BSC110N06NS3 G MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5488
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