F3L200R07PE4BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT Modules IGBT Module 200A 650V

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 20
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 20
Number of Elements 4
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 200A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.5nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X20
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 680W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 190 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 600 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
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