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F3L200R12W2H3B11BPSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 100A 600W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 4
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 100A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 32
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X32
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 600W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 190 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 480 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11.5nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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F3L200R12W2H3B11BPSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, F3L200R12W2H3B11BPSA1 Referenzpreis. F3L200R12W2H3B11BPSA1 Parameter, F3L200R12W2H3B11BPSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden F3L200R12W2H3B11BPSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden F3L200R12W2H3B11BPSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, F3L200R12W2H3B11BPSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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