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IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 300A 750W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 41
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 240 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 640 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X41
Configuration Full Bridge
Power - Max 750W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 300A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
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IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Referenzpreis. IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Parameter, IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IFS150B12N3E4PB11BPSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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