IFS150B17N3E4PB11BPSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1700V 300A 20MW

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X37
Configuration Full Bridge
Power - Max 20mW
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 300A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 150A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 37
Additional Feature UL RECOGNIZED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 270 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 760 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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