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IPC100N04S5L1R5ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 115W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5340pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 100A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Avalanche Energy Rating (Eas) 220 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 60μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±16V
Drain-source On Resistance-Max 0.0021Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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