IPD5N25S3430ATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 3-Pin TO-252 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Turn On Delay Time 3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Tc
Rise Time 2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 5A
Max Dual Supply Voltage 250V
Drain to Source Resistance 370mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Power Dissipation-Max 41W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 13μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 422pF
Rds On Max 430 mΩ
Lead Free Contains Lead
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IPD5N03LAG International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2615
IPD5N25S3-430 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 6566
IPD5N25S3-430 IC International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2313
IPD5N25S3430ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2728

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