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IPD5N25S3430ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 13µA
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPD5N03LAG International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2615
IPD5N25S3-430 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 6566
IPD5N25S3-430 IC International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2313
IPD5N25S3430ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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IPD5N25S3430ATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPD5N25S3430ATMA1 Referenzpreis. IPD5N25S3430ATMA1 Parameter, IPD5N25S3430ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD5N25S3430ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD5N25S3430ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD5N25S3430ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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