IPD60R380P6ATMA1 Technische Spezifikationen

IPD60R380P6ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Weight 3.949996g
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P6
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Channels 1
Turn On Delay Time 12 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 877pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Drain to Source Resistance 342mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package PG-TO252-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 83W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 320μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A Tc
Rise Time 6ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 10.6A
Max Dual Supply Voltage 600V
Input Capacitance 877pF
Rds On Max 380 mΩ
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