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IPD60R600E6 Technische Spezifikationen

N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
JESD-609 Code e3
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600m Ω @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7.3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 19A
Avalanche Energy Rating (Eas) 133 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 63W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.6Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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