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IPD60R650CEATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-Ch 600V 7A DPAK-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ CE
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 63W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Tc
Rise Time 8ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain-source On Resistance-Max 0.65Ohm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Weight 3.949996g
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650m Ω @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
DS Breakdown Voltage-Min 600V
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPD600N25N3 G INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2283
IPD600N25N3G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5358
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
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IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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IPD60R650CEATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPD60R650CEATMA1 Referenzpreis. IPD60R650CEATMA1 Parameter, IPD60R650CEATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD60R650CEATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD60R650CEATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD60R650CEATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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