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IPD60R750E6BTMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 48W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 170μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 15.7A
Avalanche Energy Rating (Eas) 72 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750m Ω @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 373pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.75Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPD600N25N3 G INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2283
IPD600N25N3G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5358
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPD600N25N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2570
IPD60N10S4-12 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2091
IPD60N10S412ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2571
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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IPD60R750E6BTMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPD60R750E6BTMA1 Referenzpreis. IPD60R750E6BTMA1 Parameter, IPD60R750E6BTMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD60R750E6BTMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD60R750E6BTMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD60R750E6BTMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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