IPP65R110CFDXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 277.8W Tc
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 68 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 650V
Avalanche Energy Rating (Eas) 845 mJ
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 12.7A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31.2A Tc
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 31.2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 99.6A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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