IPT015N10N5ATMA1 Technische Spezifikationen

IPT015N10N5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5m Ω @ 150A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A Tc
Rise Time 30ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 32A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerSFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 36 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 211nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 300A
Max Dual Supply Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 652 mJ
Lead Free Contains Lead
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