IRF4905SPBF Technische Spezifikationen

IRF4905SPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Other Transistors
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 170W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 42A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Avalanche Energy Rating (Eas) 140 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 42A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-252
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 55V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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