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IRF640NPBF Technische Spezifikationen

IRF640NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 200V
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 150W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Tc
Rise Time 19ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72A
Avalanche Energy Rating (Eas) 247 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 19.8mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1999
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 150mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 18A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 5.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Dual Supply Voltage 200V
Recovery Time 241 ns
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF640 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2347
IRF640 IC ST Spezialisierte heiße ICs 967
IRF640 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 839
IRF640,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2740
IRF640A SEC Spezialisierte heiße ICs 515
IRF640B FSC Spezialisierte heiße ICs 2332
IRF640B IC IR Spezialisierte heiße ICs 348
IRF640BPBF VB Spezialisierte heiße ICs 5000
IRF640FP STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1259
IRF640L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2545

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