IRF640NSPBF Technische Spezifikationen

IRF640NSPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Vgs (Max) ±20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Power Dissipation-Max 150W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF640 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2347
IRF640 IC ST Spezialisierte heiße ICs 967
IRF640 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 839
IRF640,127 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2740
IRF640A SEC Spezialisierte heiße ICs 515
IRF640B FSC Spezialisierte heiße ICs 2332
IRF640B IC IR Spezialisierte heiße ICs 348
IRF640BPBF VB Spezialisierte heiße ICs 5000
IRF640FP STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1259
IRF640L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2545

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