IRFH7911TRPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 18
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position QUAD
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number IRFH7911PBF
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2.4W
Power - Max 2.4W 3.4W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A 28A
Continuous Drain Current (ID) 13A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 2.35 V
Length 5.9944mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 18-PowerVQFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Resistance 8.6MOhm
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation 3.4W
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PQFP-N6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN SOURCE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100A
FET Feature Logic Level Gate
Height 939.8μm
Width 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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