IRFH7932TRPBF Technische Spezifikationen

IRFH7932TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4270pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0033Ohm
Dual Supply Voltage 30V
Height 939.8μm
Width 5.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.4W Ta
Power Dissipation 3.4W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Ta 104A Tc
Rise Time 48ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 23 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 25A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 1.8 V
Length 6.096mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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