IRFH7936TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 17 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2360pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 54A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 76A
Height 1.1684mm
Width 6.1468mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 3.1W Ta
Power Dissipation 3.1W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Ta 54A Tc
Rise Time 12ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Length 5.2324mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFH7004 IR Spezialisierte heiße ICs 24548
IRFH7004TR IR Spezialisierte heiße ICs 2560
IRFH7004TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 13248
IRFH7004TR2PBF. IR Spezialisierte heiße ICs 10600
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