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IRFI4024H-117P Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-5 Full Pack
Supplier Device Package TO-220-5 Full-Pak
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Resistance 60MOhm
Min Operating Temperature -55°C
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 5.9 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A
Rise Time 2ns
Fall Time (Typ) 3.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 320pF
FET Feature Standard
Rds On Max 60 mΩ
Height 9.8mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 5
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 14W
Power Dissipation 14W
Power - Max 14W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 7.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Recovery Time 26 ns
Drain to Source Resistance 60mOhm
Nominal Vgs 4 V
Length 10.6172mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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IRFI4019H IR Spezialisierte heiße ICs 82
IRFI4019H-117P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2260
IRFI4019H-117P Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRFI4019H-117P MOS IR Spezialisierte heiße ICs 263
IRFI4019H-117P/IRFI4019HG-117P IR Spezialisierte heiße ICs 10273
IRFI4019HG IR Spezialisierte heiße ICs 2693
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IRFI4019HG-117P MOS IR Spezialisierte heiße ICs 8271
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