IRFI4212H-117P Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 5
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Element Configuration Dual
Power Dissipation 18W
Turn On Delay Time 4.7 ns
Transistor Application AMPLIFIER
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Turn-Off Delay Time 9.5 ns
Threshold Voltage 5V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 41 mJ
Recovery Time 54 ns
Nominal Vgs 5 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-5 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 5
Resistance 72.5MOhm
Max Power Dissipation 18W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5m Ω @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 50V
Rise Time 8.3ns
Fall Time (Typ) 4.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 44A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Standard
Height 9.02mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFI4019H-117P Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRFI4019H-117P MOS IR Spezialisierte heiße ICs 263
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