IRFP4232PBF Technische Spezifikationen

IRFP4232PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AC
Packaging Bulk
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 35.7MOhm
Min Operating Temperature -40°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 37 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35.7mOhm @ 42A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7290pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 64 ns
Threshold Voltage 5V
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Input Capacitance 7.29nF
Rds On Max 35.7 mΩ
Height 20.7mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Max Operating Temperature 175°C
Voltage - Rated DC 250V
Current Rating 60A
Power Dissipation-Max 430W Tc
Power Dissipation 430W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 60A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 250V
Drain to Source Resistance 35.7mOhm
Nominal Vgs 5 V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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