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IRFR120NPBF Technische Spezifikationen
IRFR120NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 39 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210m Ω @ 5.6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.21Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 100V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 48W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9.4A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 38A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 91 mJ |
IRFR120NPBF Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRFR120NPBF
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRFR1" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRFR1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRFR1010E | I | Spezialisierte heiße ICs | 10500 |
IRFR1010Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 304 |
IRFR1010Z MOS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2706 |
IRFR1010ZPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3249 |
IRFR1010ZPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRFR1010ZTRL | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2734 |
IRFR1010ZTRLPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5252 |
IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRFR1010ZTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5213 |
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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IRFR120NPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFR120NPBF Referenzpreis. IRFR120NPBF Parameter, IRFR120NPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFR120NPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFR120NPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFR120NPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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