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IRFR812PBF Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 78W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A Tc |
Rise Time | 22ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 500V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Power Dissipation-Max | 78W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ω @ 2.2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 17 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Recovery Time | 110 ns |
Length | 6.73mm |
REACH SVHC | No SVHC |
IRFR812PBF Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRFR812PBF
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRFR8" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRFR8'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRFR812 | IR | Spezialisierte heiße ICs | 32753 |
IRFR812PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 20768 |
IRFR812PBF MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 5462 |
IRFR812TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2665 |
IRFR812TRPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRFR820 | VB | Spezialisierte heiße ICs | 468 |
IRFR8203 | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2562 |
IRFR8203TRPBF | I | Spezialisierte heiße ICs | 42363 |
IRFR820TRLPBF | VB | Spezialisierte heiße ICs | 34226 |
IRFR820TRRPBF | VB | Spezialisierte heiße ICs | 66467 |
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IRFR812PBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFR812PBF Referenzpreis. IRFR812PBF Parameter, IRFR812PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFR812PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFR812PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFR812PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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