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IRFR812TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 2.2Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ω @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 78W Tc
Power Dissipation 78W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A Tc
Rise Time 22ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 24 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFR812TRPBF Unterlagen

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  • Datenblätter

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Die folgenden Teile umfassen  'IRFR8' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFR812 IR Spezialisierte heiße ICs 32753
IRFR812PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 20768
IRFR812PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFR812PBF MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5462
IRFR812TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2665
IRFR820 VB Spezialisierte heiße ICs 468
IRFR8203 IR Spezialisierte heiße ICs 2562
IRFR8203TRPBF I Spezialisierte heiße ICs 42363
IRFR820TRLPBF VB Spezialisierte heiße ICs 34226
IRFR820TRRPBF VB Spezialisierte heiße ICs 66467

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