IRG4IBC20UDPBF Technische Spezifikationen

IRG4IBC20UDPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 11.4A
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 11.4A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
Test Condition 480V, 6.5A, 50 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 320 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 52A
Switching Energy 160μJ (on), 130μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Height 16.129mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.299997g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 34W
Number of Elements 1
Power Dissipation 34W
Input Type Standard
Rise Time 17ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.1V
Reverse Recovery Time 37 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A
Gate Charge 27nC
Td (on/off) @ 25°C 39ns/93ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 170ns
Length 10.7442mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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