IRG4IBC20WPBF Technische Spezifikationen

IRG4IBC20WPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Position SINGLE
Number of Elements 1
Power Dissipation 34W
Input Type Standard
Rise Time 14ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.6V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2.16V
Test Condition 480V, 6.5A, 50 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 300 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 52A
Switching Energy 60μJ (on), 80μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Height 14.224mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 34W
Current Rating 11.8A
Element Configuration Dual
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 12A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A
Gate Charge 26nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/110ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 96ns
Length 10.7442mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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