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IRLH5030TRPBF
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IRLH5030TRPBF Technische Spezifikationen
IRLH5030TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PDSO-N5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 41 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Nominal Vgs | 2.5 V |
Length | 6.1468mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 9.9MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 156W Tc |
Power Dissipation | 3.6W |
Turn On Delay Time | 21 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A Ta 100A Tc |
Rise Time | 72ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 41 ns |
Threshold Voltage | 2.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 230 mJ |
Height | 990.6μm |
Width | 5.15mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRLH5030TRPBF Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IRLH5" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRLH5'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRLH5030TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2762 |
IRLH5030TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1151 |
IRLH5030TRPBF MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2251 |
IRLH5030TRPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 4869 |
IRLH5034TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 9322 |
IRLH5034TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5205 |
IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRLH5034TRPBF MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 5385 |
IRLH5034TRPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2642 |
IRLH5036TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5027 |
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IRLH5030TRPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRLH5030TRPBF Referenzpreis. IRLH5030TRPBF Parameter, IRLH5030TRPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRLH5030TRPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRLH5030TRPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRLH5030TRPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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