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IRLH5030TR2PBF Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Supplier Device Package | PQFN (5x6) Single Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 100A (Tc) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRLH5030TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1151 |
IRLH5030TRPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRLH5030TRPBF MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2251 |
IRLH5030TRPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 4869 |
IRLH5034TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 9322 |
IRLH5034TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5205 |
IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRLH5034TRPBF MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 5385 |
IRLH5034TRPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2642 |
IRLH5036TR2PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5027 |
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