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IPD60R600P7ATMA1 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ P7 |
Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 400V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPD600N25N3 G | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 2283 |
IPD600N25N3G | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 5277 |
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IPD600N25N3G(600N25N) | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 2603 |
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IPD60R600P7ATMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPD60R600P7ATMA1 Referenzpreis. IPD60R600P7ATMA1 Parameter, IPD60R600P7ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD60R600P7ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD60R600P7ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD60R600P7ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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