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IPD60R750E6BTMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 373pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 5.7A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names IPD60R750E6BTMA1CT IPD60R750E6CT IPD60R750E6CT-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Tc)
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IPD60R750E6BTMA1 Markenhersteller: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip Aktie, IPD60R750E6BTMA1 Referenzpreis. IPD60R750E6BTMA1 Parameter, IPD60R750E6BTMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD60R750E6BTMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD60R750E6BTMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD60R750E6BTMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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