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IRF8910GPBF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF8910 IR Spezialisierte heiße ICs 1123
IRF8910G IR Spezialisierte heiße ICs 2793
IRF8910GPBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF8910GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 830
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF8910GTRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 5641
IRF8910GTRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 2511
IRF8910PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5346
IRF8910PBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF8910PBF Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays

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