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IRF8910PBF Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF8910 IR Spezialisierte heiße ICs 1123
IRF8910G IR Spezialisierte heiße ICs 2793
IRF8910GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 627
IRF8910GPBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF8910GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 830
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF8910GTRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 5641
IRF8910GTRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 2511
IRF8910PBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF8910PBF Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays

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