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DTA115TUAT106 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package UMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTA1132KA ROHM Spezialisierte heiße ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
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DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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DTA115TUAT106 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTA115TUAT106 Referenzpreis. DTA115TUAT106 Parameter, DTA115TUAT106 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTA115TUAT106 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTA115TUAT106 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTA115TUAT106 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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