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DTC023JMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package VMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC023EEB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTC023EEBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 6327
DTC023EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC023EM ROHM Spezialisierte heiße ICs 4406
DTC023EM T2L LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 40327
DTC023EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 104471
DTC023EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC023EUB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
DTC023EUBTL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2614
DTC023EUBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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DTC023JMT2L Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTC023JMT2L Referenzpreis. DTC023JMT2L Parameter, DTC023JMT2L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTC023JMT2L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTC023JMT2L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTC023JMT2L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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