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DTD543ZMT2L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition 260MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package VMT3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD543EETL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2797
DTD543EETL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543EMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2622
DTD543EMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543XE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000
DTD543XETL LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2597
DTD543XETL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543XMT2L LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2792
DTD543XMT2L ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD543ZE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 5734

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DTD543ZMT2L Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, DTD543ZMT2L Referenzpreis. DTD543ZMT2L Parameter, DTD543ZMT2L Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTD543ZMT2L Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTD543ZMT2L Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTD543ZMT2L Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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