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EM6K7T2R Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package EMT6
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EM6K7 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
EM6K7 G T2R LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 48000
EM6K7 T2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 13904
EM6K7 T4R ROHM Spezialisierte heiße ICs 2604
EM6K7T2CR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
EM6K7T2R ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
EM6K7T2R MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 24478

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