EM6K7T2CR Technische Spezifikationen

1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ω @ 200mA, 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 1.4Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 150mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Ta
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Feature Standard
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EM6K7 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
EM6K7 G T2R LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 48000
EM6K7 T2R ROHM Spezialisierte heiße ICs 13904
EM6K7 T4R ROHM Spezialisierte heiße ICs 2604
EM6K7T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30545
EM6K7T2R ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
EM6K7T2R MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 24478

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