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QH8MA2TCR Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT8
Power - Max 1.25W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A, 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
QH8MA2 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 7334
QH8MA2 TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 25390
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QH8MA3 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
QH8MA3 TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 5416
QH8MA3 TCR IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 24450
QH8MA3TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3202
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
QH8MA4 TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1381
QH8MA4TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2549

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