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QH8MA3TCR Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT8
Power - Max 1.5W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A, 5.5A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
QH8MA2 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 7334
QH8MA2 TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 25390
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QH8MA2TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
QH8MA3 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
QH8MA3 TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 5416
QH8MA3 TCR IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 24450
QH8MA3TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
QH8MA4 TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1381
QH8MA4TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2549

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