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RFN10T2D Technische Spezifikationen

DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 980mV @ 5A
Supplier Device Package TO-220FN
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RFN10B3S ROHM Spezialisierte heiße ICs 23678
RFN10B3STL LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2536
RFN10BM3S LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2500
RFN10BM3SFHTL LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2743
RFN10BM3SFHTL ROHM Semiconductor Einphasen-Diodengleichrichter
RFN10BM3STL LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2892
RFN10BM6SFHTL LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2500
RFN10BP3S ROHM Spezialisierte heiße ICs 2950
RFN10BP3S TRR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3370
RFN10NS3S ROHM Spezialisierte heiße ICs 4800

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