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RGT40NS65DGTL Technische Spezifikationen

IGBT 650V 40A 161W TO-263S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 58ns
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 40nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 22ns/75ns
Supplier Device Package LPDS (TO-263S)
Power - Max 161W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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RGT40NS65DGTL Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, RGT40NS65DGTL Referenzpreis. RGT40NS65DGTL Parameter, RGT40NS65DGTL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RGT40NS65DGTL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RGT40NS65DGTL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RGT40NS65DGTL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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